Историята на развитието на LED
Откриването на луминесценцията на полупроводниковия PN преход може да бъде проследено назад до 20-те години на миналия век. Френският учен OWLossow за пръв път наблюдава този феномен на луминесценция, когато изучава SiC детектори. Поради ограниченията на подготовката на материала и технологията на устройството по това време, това важно откритие не беше бързо използвано. До четиридесет години по-късно, с напредъка на материалите от III-V група и технологията на устройствата, хората най-накрая успешно разработиха GaAsP светоизлъчващ диод с практическа стойност, излъчващ червена светлина, който беше масово произведен от GE като индикатор за инструменти. Оттогава, поради по-нататъшното развитие на изследванията на GaAs, Gap и други материали и технологията на устройствата, в допълнение към тъмночервените светодиоди, LED устройства, включително оранжево, жълто, жълто-зелено и други цветове, също се появиха на пазара в големи количества.
Поради различни причини LED устройства като Gap и GaAsP имат ниска светлинна ефективност и интензитетът на светлината обикновено е под 10 mcd, което може да се използва само за вътрешни дисплеи. Въпреки че материалът AlGaAs навлиза в областта от индиректен скок, светлинната ефективност спада бързо. С напредъка на полупроводниковите материали и технологията на устройствата, особено нарастващата зрялост на епитаксиалните процеси като MOCVD, в началото на 90-те години Nichia от Япония и Cree от Съединените щати съответно използваха MOCVD технология в базирани на GaN LED епитаксиални пластини със структури на устройства успешно отглеждани върху сапфирени и SiC субстрати и са произведени сини, зелени и виолетови LED устройства с висока яркост.
Появата на LED устройства със свръхвисока яркост отвори изключително блестящи перспективи за разширяване на областите на приложение на LED. Първият е, че увеличаването на яркостта кара приложението на LED устройствата да се премести от закрито на открито. Дори при силна слънчева светлина, тези LED тръби на ниво CD могат да светят ярко и цветно. Понастоящем той се използва широко във външни дисплеи с голям екран, индикация за състоянието на превозното средство, светофари, LCD подсветка и общо осветление. Втората характеристика на ултра-ярките светодиоди е удължаването на дължината на вълната на излъчване. Появата на устройства InGaAlP разширява емисионната лента до късовълновата жълто-зелена област от 570 nm, докато устройствата, базирани на GaN, допълнително разширяват дължината на вълната на емисиите до зелените, сините и виолетовите ленти. По този начин LED устройствата не само правят СВЕТА цветен, но също така правят възможно производството на твърди източници на бяло осветление. В сравнение с конвенционалните източници на светлина, LED устройствата са източници на студена светлина с дълъг живот и ниска консумация на енергия. Второ, LED устройствата също имат предимствата на малък размер, здравина и издръжливост, ниско работно напрежение, бърза реакция и лесна връзка с компютри. Статистиката показва, че през последните пет години на двадесети век пазарът на приложения на LED продукти с висока яркост поддържа темп на растеж от над 40 процента. С възстановяването на СВЕТОВНАТА икономика и стартирането на проекта за бяло осветление се смята, че производството и приложението на LED ще доведе до по-голяма кулминация.
